Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

2,03 €

(ohne MwSt.)

2,42 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • 3.465 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +2,03 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
754-5311
Herst. Teile-Nr.:
BSC320N20NS3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.1 mm

Länge

5.35mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links

Recently viewed