Anmelden / Registrieren um Ihre Vorteile zu nutzen
Kürzlich gesucht

    Infineon OptiMOS™ 3 BSC047N08NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

    Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

    Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

    2,32 €

    (ohne MwSt.)

    2,76 €

    (inkl. MwSt.)

    Stück
    Stück
    Pro Stück
    Pro Packung*
    10 - 102,32 €23,20 €
    20 - 401,879 €18,79 €
    50 - 901,763 €17,63 €
    100 - 2401,647 €16,47 €
    250 +1,531 €15,31 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    906-4347
    Herst. Teile-Nr.:
    BSC047N08NS3GATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Nicht zutreffend

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.100 A
    Drain-Source-Spannung max.80 V
    SerieOptiMOS™ 3
    GehäusegrößeTDSON
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.8,9 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Verlustleistung max.125 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge6.1mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite5.35mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs52 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe1.1mm
    Diodendurchschlagsspannung1.2V

    Verwandte Produkte