Infineon OptiMOS™ 3 BSC019N04NSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON

RS Best.-Nr.:: 914-0172
Herst. Teile-Nr.:: BSC019N04NSGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 BSC019N04NSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON

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1,273 €

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20 - 180	1,273 €	25,46 €
200 +	0,99 €	19,80 €

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RS Best.-Nr.:: 914-0172
Herst. Teile-Nr.:: BSC019N04NSGATMA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Ausgenommen

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	Herr TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	1,9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.35mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	81 nC @ 10 V
Länge	6.35mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm