Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 158 A 83 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 258-0709
Herst. Teile-Nr.:: BSZ018N04LS6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 158 A 83 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:: 258-0709
Herst. Teile-Nr.:: BSZ018N04LS6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	158A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TSDSON
	Serie	BSZ
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Durchlassspannung Vf	780mV
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	31nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21, RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 158A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TSDSON
	Serie BSZ
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ
	Channel-Modus N
	Durchlassspannung Vf 780mV
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ018N04LS6ATMA1

MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 158 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ018N04LS6ATMA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten Leistungsstufen ausgelegt ist. Er bietet eine hohe kontinuierliche Ablassleistung und ist für einen breiten Bereich von thermischen Umgebungen geeignet. Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen und wird in einem 8-poligen TSDSON-Gehäuse für Low-Profile-Board-Baugruppen geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedrige Rds(on) von 2,7 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Hohe Verlustleistung von 83 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 31 nC unterstützt eine effiziente Schaltsteuerung
• Niedrige Durchlassspannung von 0,78 V reduziert den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
• Breiter Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C für raue Bedingungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für 40-V-158-A-Leistungsstufen in DC/DC-Wandlern
• Ideal für Hochstrom-SMD-MOSFET-Rollen in Stromversorgungen
• Verwendung mit oberflächenmontierten Layouts, die eine TSDSON 8-polige Grundfläche erfordern
• Kann zum Schalten in kompakten Hochleistungsmodulen verwendet werden

Welches Gehäuse und welche Anzahl von Stiften wird verwendet?

Er wird in einem TSDSON-Gehäuse mit acht Stiften geliefert.

Welche Gate-Handling-Grenzwerte müssen von Konstrukteuren eingehalten werden?

Das Gerät nimmt bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle auf.

Wie verhält es sich bei unterschiedlichen Temperaturen?

Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.

Ist dieses Gerät für Automobilstandards geeignet?

Es wird nicht angegeben, dass es den Standards der Automobilindustrie entspricht.