Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 158 A 83 W, 8-Pin TSDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

3.280,00 €

(ohne MwSt.)

3.905,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 01. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,656 €3.280,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-0709
Herst. Teile-Nr.:
BSZ018N04LS6ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

158A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.78V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die 40-V-Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS 6 ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Stromkreisen optimiert, wie z. B. synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten und ORing-Stromkreisen. Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand ermöglichen es Entwicklern, die Effizienz zu erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbildung ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Sehr niedrige Spannungsüberschreitung

Verwandte Links