Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 158 A 83 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0710
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSZ018N04LS6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 158A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 780mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 158A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 780mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 158 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ018N04LS6ATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten Leistungsstufen ausgelegt ist. Er bietet eine hohe kontinuierliche Ablassleistung und ist für einen breiten Bereich von thermischen Umgebungen geeignet. Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen und wird in einem 8-poligen TSDSON-Gehäuse für Low-Profile-Board-Baugruppen geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedrige Rds(on) von 2,7 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Hohe Verlustleistung von 83 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 31 nC unterstützt eine effiziente Schaltsteuerung
• Niedrige Durchlassspannung von 0,78 V reduziert den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
• Breiter Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C für raue Bedingungen
• Hohe Verlustleistung von 83 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 31 nC unterstützt eine effiziente Schaltsteuerung
• Niedrige Durchlassspannung von 0,78 V reduziert den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
• Breiter Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C für raue Bedingungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für 40-V-158-A-Leistungsstufen in DC/DC-Wandlern
• Ideal für Hochstrom-SMD-MOSFET-Rollen in Stromversorgungen
• Verwendung mit oberflächenmontierten Layouts, die eine TSDSON 8-polige Grundfläche erfordern
• Kann zum Schalten in kompakten Hochleistungsmodulen verwendet werden
• Ideal für Hochstrom-SMD-MOSFET-Rollen in Stromversorgungen
• Verwendung mit oberflächenmontierten Layouts, die eine TSDSON 8-polige Grundfläche erfordern
• Kann zum Schalten in kompakten Hochleistungsmodulen verwendet werden
Welches Gehäuse und welche Anzahl von Stiften wird verwendet?
Er wird in einem TSDSON-Gehäuse mit acht Stiften geliefert.
Welche Gate-Handling-Grenzwerte müssen von Konstrukteuren eingehalten werden?
Das Gerät nimmt bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle auf.
Wie verhält es sich bei unterschiedlichen Temperaturen?
Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.
Ist dieses Gerät für Automobilstandards geeignet?
Es wird nicht angegeben, dass es den Standards der Automobilindustrie entspricht.