Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 158 A 83 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0710
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
3,39 €
(ohne MwSt.)
4,034 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 4.780 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,695 € | 3,39 € |
| 20 - 48 | 1,515 € | 3,03 € |
| 50 - 98 | 1,405 € | 2,81 € |
| 100 - 198 | 1,32 € | 2,64 € |
| 200 + | 1,225 € | 2,45 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0710
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 158A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.78V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 158A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.78V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 40-V-Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS 6 ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Stromkreisen optimiert, wie z. B. synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen in Servern, Desktop-PCs, drahtlosen Ladegeräten, Schnellladegeräten und ORing-Stromkreisen. Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand ermöglichen es Entwicklern, die Effizienz zu erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbildung ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelen erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Sehr niedrige Spannungsüberschreitung
Verwandte Links
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin BSZ019N03LSATMA1 TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin BSZ036NE2LSATMA1 TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal MOSFET N 30 V / 61 A, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal MOSFET N 30 V / 61 A, 8-Pin BSZ0506NSATMA1 TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON