Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 104 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
258-0712P
Herst. Teile-Nr.:
BSZ037N06LS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

104A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der 60-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon ist perfekt geeignet für Lösungen mit optimierter Effizienz und Leistungsdichte wie z. B. synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, für Telekommunikations-Brick- und Serveranwendungen sowie tragbare Ladegeräte. Die kleine Abmessung von nur 3,3 x 3,3 mm2 in Kombination mit ausgezeichneter elektrischer Leistung trägt zusätzlich zu einer erstklassigen Leistungsdichte und Formfaktorverbesserung in der Endanwendung bei.

Monolithisch integrierte Schottky-Diode

Extrem niedrige Ladungen

Ideal für Hochleistungsanwendungen

RoHS-konform – halogenfrei

Weniger Parallelführung erforderlich

Sehr niedriger Spannungsüberschreitung

Geringerer Bedarf an Schnubberstromkreisen

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