Infineon BSZ Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 20 V / 5.1 A, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 258-0721
Herst. Teile-Nr.:: BSZ215CHXTMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 20 V / 5.1 A, 8-Pin TSDSON

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

2,74 €

(ohne MwSt.)

3,26 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

4.750 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 +	1,37 €	2,74 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-0721
Herst. Teile-Nr.:: BSZ215CHXTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	BSZ
	Gehäusegröße	TSDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	150mΩ
	Channel-Modus	Doppelt
	Durchlassspannung Vf	700mV
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie BSZ
	Gehäusegröße TSDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ
	Channel-Modus Doppelt
	Durchlassspannung Vf 700mV
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ215CHXTMA1

MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 5,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ215CHXTMA1

Dieser Zweikanal-MOSFET kombiniert P- und N-Kanal-Elemente in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage für Leistungsschalt- und Verwaltungsaufgaben. Entwickelt für die Montage auf Platinenebene, funktioniert es über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, bei denen beide Polaritätskanäle in einem einzigen Gerät erforderlich sind, während die RoHS-Richtlinien eingehalten werden.

Merkmale und Vorteile:

• Geringer Drain-Source-Widerstand reduziert Leitungsverluste
• Zweikanal-Anordnung ermöglicht komplementäre Schaltfunktionen
• Die 8-polige TSSDSON-Oberflächenmontage erleichtert die Platzierung von Leiterplatten mit hoher Dichte
• Die Durchlassspannung von 0,7 V minimiert den Gate-Antrieb über Kopf
• Breite Temperaturtoleranz unterstützt raue thermische Umgebungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC-Stromverteilungsmodule in kompakten Systemen
• Ideal für komplementäre Halbbrückenanordnungen auf Einzelplatinen
• Wird für Gate-Treiber und Lastschaltung in der Steuerungselektronik verwendet
• Kann für thermisch stabile Designs verwendet werden, die unter extremen Bedingungen arbeiten

Wie groß ist der maximale Umgebungstemperaturbereich, den er bewältigen kann?

Er ist für den Betrieb bei einer maximalen Temperatur von +175 °C ausgelegt.

Wie unterstützt das Gerät Schaltvorgänge mit geringem Verlust?

Das Gerät verfügt über einen maximalen Drain-Source-Widerstand von 150 mΩ, wodurch Leitungsverluste im Hochstrombetrieb reduziert werden.

Welche Pinanzahl und welche Befestigungsart sollten Entwickler erwarten?

Die Komponente wird in einem 8-poligen TSDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist.

Sind beide Kanalpolaritäten im selben Gehäuse erhältlich?

Ja, die Komponente integriert sowohl P-Kanal- als auch N-Kanal-MOSFETs für komplementäre Schaltkreise.

Ist das Gerät für die Anforderungen der Kfz-Spezifikationen geeignet?

Es ist nicht als Kfz-Standardteil bezeichnet, erfüllt aber die RoHS-Umweltbeschränkungen.