Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 11 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3809
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R299CPAATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
3,26 €
(ohne MwSt.)
3,88 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 690 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 3,26 € |
| 5 - 9 | 3,10 € |
| 10 - 24 | 2,80 € |
| 25 - 49 | 2,51 € |
| 50 + | 2,40 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3809
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R299CPAATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS-Leistungstransistor hat eine hohe Spitzenstrombelastbarkeit und ist AEC Q101-qualifiziert für Kfz-Anwendungen.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Extreme dv/dt-Nennleistung
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 11 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 90 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 211 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 700 V / 22.4 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 100 A TO-263