Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 700 V / 22.4 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-3810
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R150CFDATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 650 V CoolMOS CFD2 ist die zweite Generation der marktführenden Hochspannungs-CoolMOS MOSFETs mit integrierter schneller Gehäusediode. Die CFD2-Geräte sind der Nachfolger der 600-V-CFD mit verbesserter Energieeffizienz. Das weichere Schaltverhalten und damit ein besseres EMI-Verhalten verleiht diesem Produkt einen klaren Vorteil gegenüber Konkurrenzteilen.

Einfach zu entwerfen

Niedrigerer Preis im Vergleich zur 600-V-CFD-Technologie

Niedriger Qoss

Verringerte Einschalt- und Drehverzögerungszeiten

Ausgezeichnete CoolMOS-Qualität

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