Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 30 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3836
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD220N06L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2500 Stück, auf einer Rolle mit 2500)*
540,00 €
(ohne MwSt.)
642,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,216 € | 540,00 € |
| 5000 + | 0,205 € | 512,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3836
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD220N06L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39.80mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39.80mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon OptiMOS 60V ist die perfekte Wahl für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen verwendet werden, einschließlich Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und DC/DC-Konverter mit schneller Schaltung.
Ideal für schnelle Schaltanwendungen
RoHS-konform – halogenfrei
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelführung erforderlich
Verwandte Links
- Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 30 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal MOSFET N / 18.1 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 3.7 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 75 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 9.9 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 90 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode N / 1.5 A TO-252