Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 9.9 A TO-252

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RS Best.-Nr.:
260-5142
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R650CEAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.9A

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.

Sehr hohe Schaltflexibilität

Einfach zu bedienen oder zu fahren

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