Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 200 V / 34 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 260-5132
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD320N20N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 34 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD320N20N3GATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor, der für oberflächenmontierte Anwendungen entwickelt wurde, bei denen Hochspannungsschaltung und hoher Dauerstrom erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und ist mit den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe kompatibel. Das Gerät wird in einem kompakten TO-252-Gehäuse geliefert, das für dichte Baugruppen und Wärmemanagement auf herkömmlichen Boards geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 200 V Nennleistung für Hochspannungsschaltfunktionen
• 34 A Dauerstrom zur Unterstützung des Dauerlastbetriebs
• 32 mΩ Rds(on), wodurch Leitungsverluste während des Schaltens reduziert werden
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht den Betrieb bei extremen Temperaturen
• Oberflächenmontiertes TO-252-Gehäuse zur Vereinfachung der automatisierten Montage
• 34 A Dauerstrom zur Unterstützung des Dauerlastbetriebs
• 32 mΩ Rds(on), wodurch Leitungsverluste während des Schaltens reduziert werden
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht den Betrieb bei extremen Temperaturen
• Oberflächenmontiertes TO-252-Gehäuse zur Vereinfachung der automatisierten Montage
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Wird mit Schaltnetzteilen zur Energieumwandlung verwendet
• Kann für Halbleiterrelais-Schaltelemente verwendet werden
• Geeignet für kompakte, wärmemanagerte Stromversorgungsmodule
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Wird mit Schaltnetzteilen zur Energieumwandlung verwendet
• Kann für Halbleiterrelais-Schaltelemente verwendet werden
• Geeignet für kompakte, wärmemanagerte Stromversorgungsmodule
Welche thermischen Extreme kann er im Betrieb tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit erweiterten Temperaturen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Leiterplattenmontage aus?
Das oberflächenmontierbare TO-252-Format unterstützt automatisierte Pick-and-Place- und Reflow-Prozesse für eine effiziente Produktion.
Welche elektrischen Grenzwerte bestimmen die Schaltauglichkeit?
Das Gerät unterstützt bis zu 200 V zwischen Drain und Quelle sowie Dauerstrom von bis zu 34 A, was seine Hochspannungs- und Hochstromfähigkeit definiert.
Ist das Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Es wird nicht angegeben, dass es den Automobilstandards entspricht, und es sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es für die Automobilindustrie geeignet ist.
Welche Umweltverträglichkeit ist spezifiziert?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.
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