Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.3 A 53 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3847
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R950CEAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

950mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Durchlassspannung Vf

0.83V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 500 V CoolMOS CE ist eine preis- und leistungsoptimierte Plattform, die es ermöglicht, kostenempfindliche Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten anzusprechen und gleichzeitig die höchsten Effizienzstandards zu erfüllen. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super-Junction-MOSFETs, ohne die Benutzerfreundlichkeit zu beeinträchtigen und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.

Hohe Gehäuse-Dioden-Robustheit

Reduzierte Umkehrwiederherstellungsladung

Einfache Steuerung des Schaltverhaltens

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