Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 20 A 81 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

5,74 €

(ohne MwSt.)

6,84 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 198 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 182,87 €5,74 €
20 - 482,55 €5,10 €
50 - 982,41 €4,82 €
100 - 1982,24 €4,48 €
200 +2,065 €4,13 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3895
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R160P7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS P7 Super Junction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS P6-Serie. Er sorgt weiterhin für eine Balance zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Entwurfsprozess. Der beste RonxA in seiner Klasse und die eigentlich niedrige Gate-Ladung der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für eine hohe Effizienz.

Integrierter Gate-Widerstand RG

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in Durchgangsbohrungs- und SMD-Gehäusen

Einfache Bedienung in Fertigungsumgebungen durch Verhinderung von ESD-Ausfällen

Verwandte Links