Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 13 A 245 W, 3-Pin TO-220

Dieser MOSFET-Transistor ist ein hochmodernes Hochspannungs-Halbleiterbauelement, das für effizientes Leistungsschalten entwickelt wurde. Mit robusten Spezifikationen, einschließlich eines kontinuierlichen Drain-Stroms von 13A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 600V, ist er in einem TO-220-Gehäuse gekapselt und eignet sich somit für eine Vielzahl von Anwendungen. Er gewährleistet eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C.

• Entwickelt mit CoolMOS™ S7-Technologie zur Minimierung von Leitungsverlusten

• Verwendet für Halbleiterrelais und innovative Leistungsschalterkonstruktionen

Der Baustein weist eine maximale Verlustleistung von 245 W und einen Wärmewiderstand von 62 °C/W zwischen Sperrschicht und Umgebung auf, was ein effektives Wärmemanagement ermöglicht. Dies gewährleistet Langlebigkeit und Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Einsatzbedingungen.

Durch den niedrigen Durchlasswiderstand und die CoolMOS™-Technologie werden die Energieverluste während des Betriebs erheblich reduziert, was zu einer verbesserten Gesamteffizienz führt und die Wärmeentwicklung in Niederfrequenzumgebungen minimiert.

Es ist ratsam, die Auswirkungen der kosmischen Strahlung während der Entwurfsphase zu bewerten und geeignete Entwurfspraktiken in Betracht zu ziehen, wie z. B. die Verwendung von Ferritperlen auf dem Gate für parallele Anwendungen, um mögliche Probleme zu entschärfen.