Infineon IPP, Durchsteckmontage MOSFET / 18 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-5157
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R125C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
4,58 €
(ohne MwSt.)
5,45 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 406 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,58 € |
| 10 - 24 | 4,34 € |
| 25 - 49 | 4,26 € |
| 50 - 99 | 3,98 € |
| 100 + | 3,71 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5157
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R125C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 14.81mm | |
| Breite | 9.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 14.81mm | ||
Breite 9.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.
Reduzierte Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)
Niedrigere Gate-Ladung Qg
Platzersparnis durch den Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung der Teile
Verwandte Links
- Infineon IPP 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 80 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 9.9 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220
- Infineon IPP, Oberfläche MOSFET 700 V / 17.5 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220