Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 75 V / 100 A, 3-Pin PG-TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

60,45 €

(ohne MwSt.)

71,95 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 501,209 €60,45 €
100 +1,109 €55,45 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-7462
Herst. Teile-Nr.:
IPP034NE7N3GXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

IPP

Gehäusegröße

PG-TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

117nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

23.45mm

Länge

16mm

Breite

10.363 mm

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verfügt über eine optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung mit hervorragender Gate-Ladung. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und Gleichspannungswandler. Er ist zu 100 Prozent Avalanche-getestet.

Halogenfrei

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-konform

Sehr niedriger Widerstand

N-Kanal und Normalpegel

Verwandte Links