Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 75 V / 100 A, 3-Pin PG-TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 273-7463
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP034NE7N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
5,15 €
(ohne MwSt.)
6,128 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 456 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,575 € | 5,15 € |
| 10 - 18 | 2,34 € | 4,68 € |
| 20 - 98 | 2,285 € | 4,57 € |
| 100 - 248 | 2,15 € | 4,30 € |
| 250 + | 1,975 € | 3,95 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7463
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP034NE7N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 117nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.363mm | |
| Länge | 16mm | |
| Höhe | 23.45mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße PG-TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 117nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.363mm | ||
Länge 16mm | ||
Höhe 23.45mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET verfügt über eine optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung mit hervorragender Gate-Ladung. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und Gleichspannungswandler. Er ist zu 100 Prozent Avalanche-getestet.
Halogenfrei
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-konform
Sehr niedriger Widerstand
N-Kanal und Normalpegel
Verwandte Links
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220
- Infineon OptiMOS 3 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 80 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 9.9 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 50 A 227 W TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 24 A 128 W, 3-Pin TO-220