Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 50 A 227 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3896
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,685 € | 234,25 € |
| 100 - 100 | 4,31 € | 215,50 € |
| 150 + | 4,076 € | 203,80 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3896
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 650 V CoolMOS CFD7 Super Junction MOSFET in einem TO-220-Gehäuse ist ideal für Resonanztopologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen geeignet, bei denen er erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2-SJ-MOSFET-Familie wird er mit einer reduzierten Gate-Ladung, einem verbesserten Abschaltverhalten und einer reduzierten Umkehr-Wiederherstellungsladung geliefert, die höchste Effizienz und Leistungsdichte sowie eine zusätzliche 50-V-Ausbruchspannung ermöglichen.
Ultraschnelle Gehäusediode und sehr niedriger Qrr
650 V Durchschlagsspannung
Signifikant reduzierte Schaltverluste im Vergleich zur Konkurrenz
Ausgezeichnete Robustheit bei schwerer Umschaltung
Zusätzlicher Sicherheitsabstand für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
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