Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 24 A 128 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

154,60 €

(ohne MwSt.)

183,95 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 2.000 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
  • Zusätzlich 500 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 503,092 €154,60 €
100 - 2002,937 €146,85 €
250 +2,782 €139,10 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3898
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R095C7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPP

Gehäusegröße

TO-220

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

128W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Zulieferers mit hochwertiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von Offset-Schalt-Super-Junction-MOSFETs, die einen besseren Wirkungsgrad, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.

Niedrigere Gate-Ladung Qg

Platzersparnis durch den Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung der Teile

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Geringe Schaltverluste

Besserer Wirkungsgrad bei leichter Last

Verwandte Links