Infineon IPP, Oberfläche MOSFET 700 V / 17.5 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3900
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190CFDXKSA2
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
94,25 €
(ohne MwSt.)
112,15 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 350 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,885 € | 94,25 € |
| 100 - 200 | 1,697 € | 84,85 € |
| 250 + | 1,527 € | 76,35 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3900
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190CFDXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 650 V CoolMOS CFD2 ist die zweite Generation der marktführenden Hochspannungs-CoolMOS MOSFETs mit integrierter schneller Gehäusediode. Die CFD2-Geräte sind der Nachfolger der 600-V-CFD mit verbesserter Energieeffizienz. Das weichere Schaltverhalten und damit ein besseres EMI-Verhalten verleiht diesem Produkt einen klaren Vorteil gegenüber Konkurrenzteilen.
Selbstbegrenzende di/dt und dv/dt
Niedriger Qoss
Verringerte Einschalt- und Drehverzögerungszeiten
Hervorragende CoolMOSTM-Qualität
Verwandte Links
- Infineon IPP, Oberfläche MOSFET 700 V / 17.5 A IPP65R190CFDXKSA2 TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220
- Infineon IPP 3-Pin TO-220
- Infineon IPP 3-Pin IPP65R125C7XKSA1 TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A IPP120N20NFDAKSA1 TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 9.9 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 80 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 80 A IPP040N06NAKSA1 TO-220