Infineon, SMD MOSFET 700 V / 211 A PG-TO220-3

Der Infineon 650 V CoolMOS CFD7 Super Junction MOSFET in einem TO-220-Gehäuse ist ideal für Resonanztopologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen geeignet, bei denen er erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2-SJ-MOSFET-Familie wird er mit einer reduzierten Gate-Ladung, einem verbesserten Abschaltverhalten und einer reduzierten Umkehr-Wiederherstellungsladung geliefert, die höchste Effizienz und Leistungsdichte sowie eine zusätzliche 50-V-Ausbruchspannung ermöglichen.

Ultraschnelle Gehäusediode und sehr niedriger Qrr
650 V Durchschlagsspannung
Signifikant reduzierte Schaltverluste im Vergleich zur Konkurrenz
Ausgezeichnete Robustheit bei schwerer Umschaltung
Zusätzlicher Sicherheitsabstand für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte