Infineon IPP, Oberfläche MOSFET 700 V / 17.5 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3901P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190CFDXKSA2
- Marke:
- Infineon
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- IPP65R190CFDXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 650 V CoolMOS CFD2 ist die zweite Generation der marktführenden Hochspannungs-CoolMOS MOSFETs mit integrierter schneller Gehäusediode. Die CFD2-Geräte sind der Nachfolger der 600-V-CFD mit verbesserter Energieeffizienz. Das weichere Schaltverhalten und damit ein besseres EMI-Verhalten verleiht diesem Produkt einen klaren Vorteil gegenüber Konkurrenzteilen.
Selbstbegrenzende di/dt und dv/dt
Niedriger Qoss
Verringerte Einschalt- und Drehverzögerungszeiten
Hervorragende CoolMOSTM-Qualität
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