Infineon IPW Typ N-Kanal MOSFET 600 V / 22 A 110 W, 3-Pin TO-247

Die 600-V-Serie CoolMOS C7 Super Junction MOSFETs von Infineon bietet eine Reduzierung der Abschaltverluste um ∼50 % im Vergleich zum CoolMOS CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC, TTF und anderen schwer schaltbaren Topologien. Der MOSFET ist außerdem eine perfekte Passform für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte. Effizienz- und TCO-Anwendungen wie Hyper-Rechenzentren und hocheffiziente Telekommunikationsgleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die CoolMOS C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Im Falle eines 2,5-kW-Server-Netzteils zum Beispiel kann die Verwendung von 600-V-CoolMOS C7 SJ-MOSFETs in einem TO-247-4-poligen Gehäuse zu einer Senkung der Energiekosten von ∼10 % für Netzteil-Energieverluste führen.

Erhöhte Schaltfrequenz