Infineon IPW N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 219W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 219W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Super-Junction-MOSFET-Familie CoolMOS P6 von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach einzurichten. CoolMOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Besserer Wirkungsgrad bei Sanftkopplungsanwendungen aufgrund früherer Abschaltung
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit sowie gute Steuerbarkeit des Schaltverhaltens
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