Infineon IQE013N04LM6CGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 205 A PG-TTFN

Der Infineon OptiMOS-Leistungs-MOSFET 40 V in einem 3,3 x 3,3 PQFN Source-Down-Centre-Gate-Gehäuse. Dieser beste Leistungs-MOSFET in seiner Klasse fordert den Status quo in Bezug auf Leistungsdichte und Formfaktor in der Endanwendung heraus. Ein Ziel bei der Konstruktion von Elektrowerkzeugen besteht darin, die internen Einschränkungen der Anforderungen an den Leiterplattenbereich zu minimieren, um ein ergonomisches Design zu ermöglichen und die Endbenutzererfahrung zu optimieren. Durch das gleichzeitige Bewegen des Wechselrichters vom Griff in den Kopf wird das Volumen des Motorgehäuses des Elektrowerkzeugs minimiert und gleichzeitig das Drehmoment des Werkzeugs auf einem relativ hohen Niveau gehalten, um eine schnelle und einfache Aktion zu ermöglichen.

Hohe Strombelastbarkeit
Effizientere Nutzung des PBC-Bereichs
Höchste Leistungsdichte und Leistung
Optimierte Abmessungen für MOSFET-Parallelisierung mit Mittelgatter