Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 200 V / 9.1 A, 5-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
258-3975
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4020H-117PXKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

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