Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 6.6 A, 5-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
258-3978
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4212H-117PXKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Integriertes Halbbrückengehäuse

Hoher Wirkungsgrad und THD

Niedrige elektromagnetische Störungen

Umweltfreundlich

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