Infineon SN7002N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.2 A 0.36 W, 3-Pin SN7002NH6433XTMA1 SOT
- RS Best.-Nr.:
- 258-4029
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002NH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
0,68 €
(ohne MwSt.)
0,81 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 9.810 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,068 € | 0,68 € |
| 100 - 490 | 0,064 € | 0,64 € |
| 500 - 990 | 0,041 € | 0,41 € |
| 1000 - 2490 | 0,037 € | 0,37 € |
| 2500 + | 0,031 € | 0,31 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-4029
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002NH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT | |
| Serie | SN7002N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.15nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT | ||
Serie SN7002N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.15nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Kleinsignal-Transistor SIPMOS von Infineon ist gemäß AEC Q101 und halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 qualifiziert.
N-Kanal
Verstärkungsmodus
dv/dt-Nennleistung