Microchip Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 350 V / -200 mA 0.36 W, 3-Pin TP5335K1-G SOT-23

Der Microchip-P-Kanal-MOSFET mit niedrigem Schwellenwert, Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren nutzt. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung