Microchip Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 350 V / -200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
264-8931
Herst. Teile-Nr.:
TP5335K1-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

350V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

MOSFET

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Microchip-P-Kanal-MOSFET mit niedrigem Schwellenwert, Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren nutzt. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Geringe Leistungsanforderung des Antriebs

Einfaches Parallelieren

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Frei von sekundären Störungen

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