Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 160 A TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB039N10N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Verglichen mit der nächstbesten Technologie erreicht dieses Produkt eine Reduzierung der Rds on und FOM um 30 Prozent.
Hervorragendes Schaltverhalten
Weltweit niedrigster RDS auf
RoHS-konform und halogenfrei
MSL1 bewertet 2
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