Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7735
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB016N06L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPB016N06L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | P | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus P | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, wie sie in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine breite Palette industrieller Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und schnell schaltende DC-DC-Wandler eingesetzt werden.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS auf
Ideal für schnelle Schaltanwendungen
RoHS-konform
Höchste Systemeffizienz
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