Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON

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RS Best.-Nr.:
258-7065
Herst. Teile-Nr.:
IPB016N06L3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

P

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, wie sie in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine breite Palette industrieller Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und schnell schaltende DC-DC-Wandler eingesetzt werden.

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Ideal für schnelle Schaltanwendungen

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