Infineon IPB180N06S4H1ATMA2 N-Kanal MOSFET Transistor / 180 A PG-TO263-7-3
- RS Best.-Nr.:
- 260-5119
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- 260-5119
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat die höchste Strombelastbarkeit. Dieser N-Kanal-MOSFET-Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus.
N-Kanal-Verbesserungsmodus
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
100 % Lawinengeprüft
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
100 % Lawinengeprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 180 A |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7-3 |
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