Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 229-1820
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon P-Kanal Logikebene-MOSFET verfügt über die höchste Strombelastbarkeit und 100-prozentige Lawinenprüfung. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz und Verpolungsschutz Batterie.
Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Es ist ein robustes Gehäuse
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