Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 122 A 69 W, 8-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-7762
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC030N03LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,236 € | 6,18 € |
| 50 - 120 | 1,108 € | 5,54 € |
| 125 - 245 | 1,032 € | 5,16 € |
| 250 - 495 | 1,008 € | 5,04 € |
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- 258-7762
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC030N03LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 122A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 122A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.35mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS 3-Leistungs-MOSFET von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, womit er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist.
Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung
Niedrigster Betriebswiderstand in kleinem Gehäuse
Überlegener Wärmewiderstand
Avalanche-getestet