Infineon SPD15P10P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 15 A 230 W, 3-Pin SPD15P10PLGBTMA1 TO-252

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258-7790
Herst. Teile-Nr.:
SPD15P10PLGBTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SPD15P10P

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.20Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.96V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der SIPMOS-Leistungstransistor von Infineon gehört zu den äußerst innovativen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs der OptiMOS-Familie. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale.

Verstärkungsmodus

Avalanche-getestet

Bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform

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