Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin IPD042P03L3GATMA1 TO-252

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825-9051
Herst. Teile-Nr.:
IPD042P03L3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS P

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

131nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Breite

5.97 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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