Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 3.8 W DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 258-8201
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7739L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRF7739L1TRPBF
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- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 270A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Serie | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 220nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Lead-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Serie DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 220nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Lead-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
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