Infineon IPB026N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 162 A PG-TO263-3

Die Leistungs-MOSFETs Infineon StrongIRFET 2 sind für eine Vielzahl von Anwendungen wie SMPS, Motorantrieb, Batteriebetrieb, Batteriemanagement, USV und leichte Elektrofahrzeuge optimiert. Diese neue Technologie bietet eine Verbesserung der RDS(on) von bis zu 40 Prozent und eine bis zu 60 Prozent niedrigere Qg im Vergleich zu den vorherigen StrongIRFET-Geräten, was sich in einer höheren Energieeffizienz für eine verbesserte Gesamtsystemleistung niederschlägt. Erhöhte Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit und eliminieren die Notwendigkeit, mehrere Geräte parallel zu betreiben, was zu niedrigeren BOM-Kosten und Einsparungen auf der Platine führt.

Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Ausgezeichnetes Preis/Leistungs-Verhältnis
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenzen
Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom