Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 282 A IPF014N08NF2SATMA1 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 259-2614
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF014N08NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stück)*
3,94 €
(ohne MwSt.)
4,69 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 780 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | 3,94 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-2614
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF014N08NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 282A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPF | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 282A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPF | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs Infineon StrongIRFET 2 sind für eine Vielzahl von Anwendungen wie SMPS, Motorantrieb, Batteriebetrieb, Batteriemanagement, USV und leichte Elektrofahrzeuge optimiert. Diese neue Technologie bietet eine Verbesserung der RDS(on) von bis zu 40 Prozent und eine bis zu 60 Prozent niedrigere Qg im Vergleich zu den vorherigen StrongIRFET-Geräten, was sich in einer höheren Energieeffizienz für eine verbesserte Gesamtsystemleistung niederschlägt. Erhöhte Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit und eliminieren die Notwendigkeit, mehrere Geräte parallel zu betreiben, was zu niedrigeren BOM-Kosten und Einsparungen auf der Platine führt.
Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Ausgezeichnetes Preis/Leistungs-Verhältnis
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenzen
Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Verwandte Links
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 282 A TO-263
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin IPF012N06NF2SATMA1 TO-263
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 259 A TO-263
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 209 A TO-263
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 126 A TO-263
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 259 A IPF017N08NF2SATMA1 TO-263
- Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 209 A IPF023N08NF2SATMA1 TO-263