Teile-Nr.

Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 8 A 167 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 260-1218P
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R065S7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 8 A 167 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 260-1218P
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R065S7XKSA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	IPP
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	65mΩ
	Durchlassspannung Vf	0.82V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	51nC
	Maximale Verlustleistung Pd	167W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	10.36mm
	Höhe	4.57mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie IPP
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ
	Durchlassspannung Vf 0.82V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC
	Maximale Verlustleistung Pd 167W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 10.36mm
	Höhe 4.57mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPP60R065S7XKSA1

Der Infineon MOSFET ermöglicht die beste Preisleistung für Niedrigfrequenzschaltanwendungen. CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET mit deutlicher Steigerung der Energieeffizienz. CoolMOS S7 ist für "Statische Schaltung" und Hochstromanwendungen optimiert. Er ist ideal für Halbleiterrelais und Überlastschalter sowie für die Leitungsgleichrichtung in SMPS- und Wechselrichtertopologien geeignet.

Hohe Impulsstromfähigkeit

Erhöhte Systemleistung

Kompakteres und einfacheres Design

Geringere BOM und/oder TCO über längere Lebensdauer

Stoß- und Vibrationsbeständigkeit

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