Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 50 V / 410 A SOT

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RS Best.-Nr.:
260-4740
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR90-50SLH
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

410A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

SOT

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der N-Kanal-MOSFET-Verbesserungsmodus des Nexperia-Logikpegel-Gate-Antriebs in 175 °C LFPAK88-Gehäuse. Teil der ASFETs für Batterieisolierung und Gleichstrommotor-Steuerungsfamilie und mit der einzigartigen Schottky-Plus-Technologie von Nexperia, die einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Spitzenleistung bietet, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, jedoch ohne problematischen hohen Leckstrom. Der ASFET ist besonders geeignet für batteriebetriebene 36-V-Anwendungen, die eine starke Avalanche-Fähigkeit, lineare Modusleistung, den Einsatz bei hohen Schaltfrequenzen sowie eine sichere und zuverlässige Schaltung bei hohem Laststrom erfordern.

Super-schnelles Schalten mit Weichgehäuse-Diodenwiederherstellung

Sehr starker Linearmodus

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