Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
260-5056
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF1404
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

202A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

16.51mm

Breite

10.67 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelles Schalten

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

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