Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-5056
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
121,30 €
(ohne MwSt.)
144,35 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 950 Einheit(en) mit Versand ab 02. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,426 € | 121,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5056
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 202A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.67mm | |
| Länge | 16.51mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.67mm | ||
Länge 16.51mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET N-Kanal MOSFET / 185 A TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 180 A TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 25 A TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 340 A TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 317 A TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 120 A TO-220