Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220AB

Dieser Leistungs-MOSFET wurde für einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen entwickelt, was ihn für Fachleute in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik wichtig macht. Die verwendeten fortschrittlichen Verarbeitungstechniken gewährleisten einen minimalen Durchlasswiderstand und einen großen Betriebstemperaturbereich, was die Anwendbarkeit des Systems erweitert.

• Ein kontinuierlicher Drain-Strom von 202A unterstützt eine robuste Leistung
• Niedriger Rds(on) von 4mΩ verbessert die Energieeffizienz
• Schnelle Umschaltfunktionen verbessern die Gesamtleistung
• Geeignet für den Betrieb bei hohen Temperaturen, die bis zu 175°C betragen können
• Einsatz von Si-MOSFET-Technologie für effektives Wärmemanagement
• Wird in einem TO-220AB-Gehäuse zur einfachen Montage geliefert

• Einsatz in industriellen Automatisierungssystemen für effizientes Leistungsschalten
• Geeignet für Hochstrommotorsteuerungen und -antriebe
• Ideal für die Energieversorgung vorrang für Effizienz
• Einsatz in Systemen zur Nutzung erneuerbarer Energien für ein effektives Energiemanagement

Der Baustein unterstützt Spannungspegel von bis zu 40 V zwischen Drain und Source und ist damit vielseitig für verschiedene Spannungsregelungsanwendungen einsetzbar.

Der niedrige Rds(on) reduziert die Verlustleistung während des Betriebs erheblich, was zu einer verbesserten Systemeffizienz führt, da die Energieverschwendung minimiert wird.

Er ist für einen effizienten Betrieb in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C ausgelegt und eignet sich somit für anspruchsvolle Umgebungen.

Ja, er kann gepulste Drain-Ströme bis zu 808A aufnehmen, was Flexibilität für verschiedene Anwendungsanforderungen bietet.

Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine effektive Wärmeableitung und eine bequeme Montage und eignet sich sowohl für kommerzielle als auch für industrielle Anwendungen.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.