Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 913-3837
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404PBF
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
68,40 €
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81,40 €
(inkl. MwSt.)
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,368 € | 68,40 € |
| 100 - 200 | 1,208 € | 60,40 € |
| 250 - 450 | 1,176 € | 58,80 € |
| 500 - 950 | 1,146 € | 57,30 € |
| 1000 + | 1,118 € | 55,90 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 913-3837
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404PBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 202A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.004Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 131nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.004Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 131nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 202A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 333W maximale Verlustleistung - IRF1404PBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Welche Art von Spannung kann verwaltet werden?
Wie wirkt sich der geringe Durchlasswiderstand auf die Effizienz des Systems aus?
Welchen Temperaturen kann es im Betrieb standhalten?
Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?
Was ist die Bedeutung des TO-220AB-Gehäuses?
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