Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 48 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 919-4937
Herst. Teile-Nr.:: IRFZ44EPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 48 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 919-4937
Herst. Teile-Nr.:: IRFZ44EPBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Serie	HEXFET
	Kabelkanaltyp	N
	Montageart	Durchsteckmontage
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Channel-Modus	Erweiterung
	Drain-Source-Spannung (Vds) max.	60 V
	kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)	48 A
	Maximale Verlustleistung (Pd)	110 W
	Pinanzahl	3
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Automobilstandard	Nein
	Durchlassspannung (Vf)	1.3 V
	Höhe	8.77 mm
	Länge	10.54 mm
	Drain-Source-Widerstand (Rds) max.	0.023 Ω
	Gate-Source-spannung max (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175 °C
	Betriebstemperatur min.	-55 °C
	Normen/Zulassungen	ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB
	Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs	60 nC
	Breite	4.69 mm

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Serie HEXFET
	Kabelkanaltyp N
	Montageart Durchsteckmontage
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Channel-Modus Erweiterung
	Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V
	kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 48 A
	Maximale Verlustleistung (Pd) 110 W
	Pinanzahl 3
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Automobilstandard Nein
	Durchlassspannung (Vf) 1.3 V
	Höhe 8.77 mm
	Länge 10.54 mm
	Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.023 Ω
	Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175 °C
	Betriebstemperatur min. -55 °C
	Normen/Zulassungen ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB
	Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 60 nC
	Breite 4.69 mm

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 48A Maximum Continuous Drain Current, 110W Maximum Power Dissipation - IRFZ44EPBF

This MOSFET features an N-channel configuration, making it suitable for industrial and automation applications. It supports high continuous drain current, which is advantageous for power applications. Designed for enhanced efficiency, it is Ideal for electric and electronic systems where quick switching and durability are necessary.

Features & Benefits

• Continuous drain current capability up to 48A for effective operation

• Operates at a drain-source voltage of 60V for power management

• Low Rds(on) improves efficiency and reduces power loss

• Packaged in TO-220AB for straightforward installation and heat dissipation

• Fully avalanche rated, ensuring reliability under stress conditions

Applications

• Power supply circuits for increased efficiency

• Motor control in automation tasks

• DC-DC converters for voltage regulation

• High-performance battery management systems

• Electronic switching devices for enhanced control

What is the maximum gate-to-source voltage for safe operation?

The maximum gate-to-source voltage is ±20V, ensuring proper functionality and safety during operation.

How can this component be effectively mounted?

It is designed for through-hole mounting, facilitating a robust attachment to PCB layouts or heatsinks.

What happens if the device exceeds its maximum junction temperature?

Exceeding the maximum junction temperature of 175°C can result in thermal damage; therefore, proper cooling management is essential.

Can this be used in high-speed switching applications?

Yes, it supports fast switching capabilities, making it suitable for applications requiring Rapid signal processing.

What is the typical power dissipation capability at room temperature?

At 25°C, it can dissipate up to 110W, allowing it to handle substantial power flow without overheating.