Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 48 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
919-4937
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ44EPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.023Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.54mm

Höhe

8.77mm

Breite

4.69 mm

Normen/Zulassungen

ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 48A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRFZ44EPBF


Dieser MOSFET verfügt über eine N-Kanal-Konfiguration, wodurch er sich für Industrie- und Automatisierungsanwendungen eignet. Er unterstützt einen hohen kontinuierlichen Drainstrom, was für Leistungsanwendungen von Vorteil ist. Er wurde für verbesserte Effizienz entwickelt und ist ideal für elektrische und elektronische Systeme, bei denen schnelles Schalten und Langlebigkeit erforderlich sind.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierliche Stromaufnahme von bis zu 48 A für effektiven Betrieb

• Arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V für das Powermanagement

• Niedriger Rds(on) verbessert den Wirkungsgrad und reduziert die Verlustleistung

• Im TO-220AB-Gehäuse für einfache Installation und Wärmeableitung

• Voller Lawinenschutz, der Zuverlässigkeit unter Stressbedingungen gewährleistet

Anwendungsbereich


• Stromversorgungsschaltungen für mehr Effizienz

• Motorsteuerung bei Automatisierungsaufgaben

• DC-DC-Wandler zur Spannungsregelung

• Leistungsstarke Batteriemanagementsysteme

• Elektronische Schaltgeräte für verbesserte Kontrolle

Was ist die maximale Gate-to-Source-Spannung für einen sicheren Betrieb?


Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt ±20 V, wodurch die ordnungsgemäße Funktionalität und Sicherheit während des Betriebs gewährleistet wird.

Wie kann dieses Bauteil effektiv montiert werden?


Er ist für die Durchsteckmontage konzipiert, was eine robuste Befestigung an PCB-Layouts oder Kühlkörpern ermöglicht.

Was passiert, wenn das Gerät seine maximale Sperrschichttemperatur überschreitet?


Das Überschreiten der maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C kann zu thermischen Schäden führen; daher ist ein angemessenes Kühlungsmanagement unerlässlich.

Kann dies bei Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen eingesetzt werden?


Ja, er unterstützt schnelle Schaltfunktionen und eignet sich daher für Anwendungen, die eine schnelle Signalverarbeitung erfordern.

Wie hoch ist die typische Verlustleistung bei Raumtemperatur?


Bei 25 °C kann es bis zu 110 W ableiten, so dass es einen erheblichen Leistungsfluss ohne Überhitzung bewältigen kann.

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