Infineon BSZ N-Kanal MOSFET N 30 V / 40 A, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 260-5079P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0506NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 260-5079P
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- BSZ0506NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.30mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.30mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon arbeitet im Enhancement-Modus und ist für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.
Überlegener Wärmewiderstand
Bleifreie Kabelbeschichtung
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