Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 30 A PG-TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 260-5129
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-5129
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Gehäusegröße | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Gehäusegröße PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET-Transistor von Infineon arbeitet im Verstärkungsmodus. Seine maximale Verlustleistung beträgt 100 W. Dieser MOSFET-Transistor hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.
N-Kanal-Verbesserungsmodus
Extrem niedrige Rds(on)
100 % Lawinengeprüft
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