Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 30 A PG-TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5129
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N06S2L23ATMA3
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Gehäusegröße

PG-TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET-Transistor von Infineon arbeitet im Verstärkungsmodus. Seine maximale Verlustleistung beträgt 100 W. Dieser MOSFET-Transistor hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.

N-Kanal-Verbesserungsmodus

Extrem niedrige Rds(on)

100 % Lawinengeprüft

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